发明专利
JP4828024B2 Methods and teos trap for the polymerization teos deposition suppression in the vacuum pump line
有权
基本信息:
- 专利标题： Methods and teos trap for the polymerization teos deposition suppression in the vacuum pump line
- 申请号：JP2000599920 申请日：2000-02-18
- 公开(公告)号：JP4828024B2 公开(公告)日：2011-11-30
- 发明人： グ，ヨウハン , ドゾレツ，ポール
- 申请人： エムケイエス インスツルメンツ,インコーポレイテッドMks Instruments,Inc.
- 专利权人： エムケイエス インスツルメンツ,インコーポレイテッドMks Instruments,Inc.
- 当前专利权人： エムケイエス インスツルメンツ，インコーポレイテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．
- 优先权： US25092899 1999-02-18
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; B01D5/00 ; C23C16/44
公开/授权文献:
- JP2002537644A 公开/授权日：2002-11-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |