发明专利
JP4591084B2 Wiring copper alloy, a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device
有权
基本信息:
- 专利标题： Wiring copper alloy, a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device
- 申请号：JP2004558392 申请日：2003-09-22
- 公开(公告)号：JP4591084B2 公开(公告)日：2010-12-01
- 发明人： 信行 五十嵐 , 政幸 廣井 , 喜宏 林 , 誠 植木
- 申请人： 日本電気株式会社
- 专利权人： 日本電気株式会社
- 当前专利权人： 日本電気株式会社
- 优先权： JP2002356291 2002-12-09
- 主分类号： H01L21/3205
- IPC分类号： H01L21/3205 ; H01L21/768 ; H01L23/52 ; H01L23/532
公开/授权文献:
- JPWO2004053971A1 配線用銅合金、半導体装置、配線の形成方法及び半導体装置の製造方法 公开/授权日：2006-04-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3205 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理 |