基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：空值
- 申请号：JP2004106224 申请日：2004-03-31
- 公开(公告)号：JP4489485B2 公开(公告)日：2010-06-23
- 发明人： 幸弘 佐藤 , 友彰 宇野 , 伸悌 松浦 , 正樹 白石
- 申请人： 株式会社ルネサステクノロジ
- 专利权人： 株式会社ルネサステクノロジ
- 当前专利权人： 株式会社ルネサステクノロジ
- 优先权： JP2004106224 2004-03-31
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L21/8234 ; H01L23/02 ; H01L23/495 ; H01L23/50 ; H01L25/00 ; H01L25/16 ; H01L25/18 ; H01L27/04 ; H01L27/088 ; H01L29/78 ; H02M3/155 ; H02M3/158
摘要：
The present invention provides a non-insulated type DC-DC converter having a circuit in which a power MOS.FET for a high side switch and a power MOS.FET for a low side switch are connected in series. In the non-insulated type DC-DC converter, the power transistor for the high side switch, the power transistor for the low side switch, and driver circuits that drive these are respectively constituted by different semiconductor chips. The three semiconductor chips are accommodated in one package, and the semiconductor chip including the power transistor for the high side switch, and the semiconductor chip including the driver circuits are disposed so as to approach each other.
摘要（中）：
本发明提供一种具有电路的非绝缘型DC-DC转换器，其中用于高侧开关的功率MOSFET和用于低侧开关的功率MOS.FET串联连接。 在非绝缘型DC-DC转换器中，用于高侧开关的功率晶体管，低边开关的功率晶体管和驱动它们的驱动电路分别由不同的半导体芯片构成。 三个半导体芯片被容纳在一个封装中，并且包括用于高侧开关的功率晶体管的半导体芯片和包括驱动器电路的半导体芯片被布置成彼此接近。
公开/授权文献:
- JP2005294464A Semiconductor device 公开/授权日：2005-10-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |