基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and a method of manufacturing the same
- 申请号：JP2001318700 申请日：2001-10-16
- 公开(公告)号：JP3973395B2 公开(公告)日：2007-09-12
- 发明人： 仁 山口 , 佳晋 服部
- 申请人： 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
- 专利权人： 株式会社デンソー,株式会社豊田中央研究所
- 当前专利权人： 株式会社デンソー,株式会社豊田中央研究所
- 优先权： JP2001318700 2001-10-16
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/06
摘要：
A semiconductor device includes: an n type drain region; an n type drift region that connects with the n type drain region; a p type body region; a n type source region that connects with the p type body region; and a gate electrode that is provided, with being covered by a gate insulation film, in a gate trench that penetrates the p type body region. The semiconductor further includes: a p type silicon region that adjoins the n type drift region; and an n type silicon region provided in a region almost including a carrier passage that connects the n type drift region and the p type body region. Here, the p type silicon region and the p type body region directly connect with each other.
公开/授权文献:
- JP2003124464A SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 公开/授权日：2003-04-25
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |