基本信息:
- 专利标题： Method and apparatus for manufacturing a device having a tunnel junction
- 申请号：JP2003360435 申请日：2003-10-21
- 公开(公告)号：JP3887367B2 公开(公告)日：2007-02-28
- 发明人： 川 純 夫 池 , 嶺 真 長
- 申请人： 株式会社東芝
- 专利权人： 株式会社東芝
- 当前专利权人： 株式会社東芝
- 优先权： JP2003360435 2003-10-21
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L43/12 ; H01L21/316 ; H01L21/8246 ; H01L43/08
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |