基本信息:
- 专利标题： 単一光子アバランシェ検出器、その使用方法および製造方法
- 申请号：JP2021537517 申请日：2019-09-09
- 公开(公告)号：JP2022500882A 公开(公告)日：2022-01-04
- 发明人： ポール、ダグラス ジョン , デュマス、デレク , キルドダ、ヤロスロウ , ミラー、ロス ダブリュ , ミルザ、ムハマド エム , ブラー、ジェラルド エス , ヴァインズ、ピーター , クズメンコ、カテリーナ
- 申请人： ザ ユニバーシティー コート オブ ザ ユニバーシティー オブ グラスゴー , ヘリオット−ワット・ユニバーシティ , Heriot−Watt University
- 申请人地址： イギリス国 ジー12 8キューキュー グラスゴー ユニヴァーシティ アベニュー ギルバート スコット ビルディング
- 专利权人： ザ ユニバーシティー コート オブ ザ ユニバーシティー オブ グラスゴー,ヘリオット−ワット・ユニバーシティ,Heriot−Watt University
- 当前专利权人： ザ ユニバーシティー コート オブ ザ ユニバーシティー オブ グラスゴー,ヘリオット−ワット・ユニバーシティ,Heriot−Watt University
- 当前专利权人地址： イギリス国 ジー12 8キューキュー グラスゴー ユニヴァーシティ アベニュー ギルバート スコット ビルディング
- 代理人： 龍華国際特許業務法人
- 优先权： GB1814688.6 2018-09-10
- 国际申请： GB2019052508 JP 2019-09-09
- 国际公布： WO2020053564 JP 2020-03-19
- 主分类号： G01J1/02
- IPC分类号： G01J1/02 ; H01L31/107
摘要：
SPAD(Single Photon Avalanche Diode)デバイスが提供される。 前記SPADデバイスは、n型半導体接触層上に形成されたSiベースのアバランシェ層と、アバランシェ層の中または上に形成された、面内幅を有するp型電荷シート層と、電荷シート層および/またはアバランシェ層の上に、電荷シート層と重なるように形成された、面内幅を有するGeベースの吸収層とを備える単一光子アバランシェダイオードデバイス(SPAD)であって、少なくとも1つの表面内方向において、前記Geベースの吸収層の前記面内幅は、前記p型電荷シート層の前記面内幅より大きい。
摘要（英）：
A single photon avalanche diode (SPAD) device is presented. The SPAD device comprising: a Si-based avalanche layer formed over an n-type semiconductor contact layer; a p-type charge sheet layer formed in or on the avalanche layer, the p-type charge sheet layer having an in-plane width; a Ge-based absorber layer, formed over the charge sheet layer and/or the avalanche layer, and overlapping the charge sheet layer, the Ge-based absorber layer having an in-plane width; wherein, at least in one in-plane direction, the in-plane width of the Ge-based absorber layer is greater than the in-plane width of the p-type charge sheet layer.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01J | 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法 |
| ------G01J1/00 | 光度测定法，例如照相的曝光表 |
| --------G01J1/02 | .零部件 |