基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：JP2021145660 申请日：2021-09-07
- 公开(公告)号：JP2022000908A 公开(公告)日：2022-01-04
- 发明人： 桃 純平 , 栗城 和貴 , 郷戸 宏充
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2014162455 2014-08-08
- 主分类号： H01L27/00
- IPC分类号： H01L27/00 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L21/8234 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L29/786
摘要：
【課題】回路や蓄電素子が効率よく収納された半導体装置を提供する。 【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、電気二重層キャパシタとを 有する半導体装置であって、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び電気二重層キ ャパシタは、1つの基板に設けられ、第2のトランジスタのチャネル領域を構成する半導 体は、第1のトランジスタのチャネル領域を構成する半導体よりも禁制帯幅が広く、電気 二重層キャパシタは、固体電解質を有する、ことを特徴とする。 【選択図】図2
摘要（英）：
To provide a semiconductor device in which a circuit and a power storage element are efficiently stored.SOLUTION: A semiconductor device is provided that includes: a first transistor; a second transistor; and an electric double layer capacitor, the first transistor, the second transistor, and the electric double layer capacitor are provided on one substrate, and a semiconductor forming a channel region of the second transistor has a wider forbidden bandgap than that of a semiconductor forming a channel region of the first transistor, and the electric double layer capacitor has a solid electrolyte.SELECTED DRAWING: Figure 2
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |