基本信息:
- 专利标题： 積層ダイ構造におけるパワーゲーティング
- 申请号：JP2021510885 申请日：2019-08-21
- 公开(公告)号：JP2021536672A 公开(公告)日：2021-12-27
- 发明人： ドゥベイ,プラシャント , アグラワル,サンディープ・ラム・ゴパル
- 申请人： ザイリンクス インコーポレイテッド , XILINX INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95124−3400 サン ホセ ロジック ドライブ 2100
- 专利权人： ザイリンクス インコーポレイテッド,XILINX INCORPORATED
- 当前专利权人： ザイリンクス インコーポレイテッド,XILINX INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95124−3400 サン ホセ ロジック ドライブ 2100
- 代理人： 特許業務法人深見特許事務所
- 优先权： US16/118,899 2018-08-31
- 国际申请： US2019047386 JP 2019-08-21
- 国际公布： WO2020046655 JP 2020-03-05
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18 ; G11C5/04 ; H01L21/822
摘要：
本開示の例は、積層ダイ構造のためのパワーゲーティングを提供する。いくつかの例では、積層ダイ構造は、第1のダイ(10/110)と、第1のダイ(10/110)に接合される第2のダイ(30/130)とを備える。いくつかの例では、パワーゲーティングされた電力経路は、ダイ(10、30)間の接合界面から、第2のダイ(30)内のTSV(36)、第2のダイ(30)内のパワーゲーティングデバイス(38S)、および第2のダイ(30)内のメタライゼーション層(34)のルーティング(46−1)を通って、第2のダイ(30)内の回路領域(40−1)に至る。いくつかの例では、パワーゲーティングされた電力経路は、第1のダイ(110)のパワーゲーティング領域(118)内にパワーゲーティングデバイス(118S)を含み、パワーゲーティングされた電力経路を通る、第2のダイ(130)内の回路領域(142)への電流の流れを遮断するように構成される。
摘要（英）：
Examples of the present disclosure provide power gating for stacked die structures. In some examples, a stacked die structure comprises a first die and a second die bonded to the first die. In some examples, a power gated power path is from a bonding interface between the dies through TSVs in the second die, a power gating device in the second die, and routing of metallization layers in the second die to the circuit region in the second die. In some examples, a power gated power path comprises a power gating device in a power gating region of the first die and is configured to interrupt a flow of current through the power gated power path to a circuit region in the second die.