基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：JP2020096675 申请日：2020-06-03
- 公开(公告)号：JP2021190639A 公开(公告)日：2021-12-13
- 发明人： 本田 成人 , 中谷 貴洋 , 新田 哲也
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 代理人： 吉竹 英俊; 有田 貴弘
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L21/329 ; H01L29/417 ; H01L29/78
摘要：
【課題】半導体基板の裏面側の設計の自由度を広くした半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタとダイオードとが共通の半導体基板に形成された半導体装置であって、半導体基板は、トランジスタが形成されたトランジスタ領域と、ダイオードが形成されたダイオード領域と、を有し、トランジスタ領域の第2の主面側の第1の電極と、ダイオード領域の第2の主面側の第2の電極とが異なった材料で構成されている。 【選択図】図4
摘要（英）：
To provide a semiconductor device in which the degree of freedom in designing a back surface side of a semiconductor substrate is increased.SOLUTION: A semiconductor device includes a transistor and a diode formed on a common semiconductor substrate. The semiconductor substrate includes a transistor region where the transistor is formed, and a diode region where the diode is formed. A first electrode on a second main surface side in the transistor region and a second electrode on a second main surface side in the diode region are formed of different materials.SELECTED DRAWING: Figure 4
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |