基本信息:
- 专利标题： 半導体素子および装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR ELEMENT AND DEVICE
- 申请号：JP2020065400 申请日：2020-03-31
- 公开(公告)号：JP2021163886A 公开(公告)日：2021-10-11
- 发明人： 佐藤 壽朗 , 竹中 靖博 , 神谷 真央 , 篠田 大輔 , 上村 俊也 , 河合 弘治 , 八木 修一
- 申请人： 豊田合成株式会社 , 株式会社パウデック
- 申请人地址： 愛知県清須市春日長畑1番地
- 专利权人： 豊田合成株式会社,株式会社パウデック
- 当前专利权人： 豊田合成株式会社,株式会社パウデック
- 当前专利权人地址： 愛知県清須市春日長畑1番地
- 代理人： 藤谷 修; 一色 昭則; 角谷 智広
- 主分类号： H01L29/812
- IPC分类号： H01L29/812 ; H01L21/337 ; H01L29/808 ; H01L29/778 ; H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L29/47 ; H01L29/872 ; H01L29/06 ; H01L21/338
To provide a semiconductor element and a device with excellent voltage resistance.SOLUTION: A semiconductor element 100 includes a first semiconductor layer 110, a second semiconductor layer 120, a third semiconductor layer 130, a fourth semiconductor layer 140, a source electrode S1 and a drain electrode D1 on the second semiconductor layer 120 or the third semiconductor layer 130, and a gate electrode G1 on the fourth semiconductor layer 140. The length of a polarization super-junction region in a direction connecting the minimum distance from a source electrode contact region SC1 to a drain electrode contact region DC1 at an end part of a rod-like shape is more than or equal to the length of a polarization super-junction region in the direction connecting the minimum distance from the source electrode contact region SC1 to the drain electrode contact region DC1 in a part other than the end part of the rod-like shape.SELECTED DRAWING: Figure 20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/812 | ......带有肖特基栅的 |