基本信息:
- 专利标题： ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法、及び樹脂
- 专利标题（英）：COMPOSITION FOR FORMING HARD MASK, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC COMPONENT, AND RESIN
- 申请号：JP2020027378 申请日：2020-02-20
- 公开(公告)号：JP2021131491A 公开(公告)日：2021-09-09
- 发明人： 衣幡 慶一
- 申请人： 東京応化工業株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 代理人： 棚井 澄雄; 松本 将尚; 宮本 龍; 飯田 雅人
- 主分类号： G03F7/26
- IPC分类号： G03F7/26 ; G03F7/40 ; C08G8/04 ; G03F7/20 ; G03F7/11
摘要：
【課題】ベーク時のアウトガスの発生が少なく、かつ、エッチング耐性及び耐溶剤性耐も良好なハードマスク形成用組成物、これを用いた電子部品の製造方法、及び前記ハードマスク形成用組成物に有用な樹脂の提供。 【解決手段】リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するハードマスク形成用組成物であって、一般式(u1−0)で表される繰り返し構造(u1)を有する樹脂(P1)を含有する、ハードマスク形成用組成物。式中、Ar 01 及びAr 02 は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基である。但し、Ar 02 は、窒素原子又は酸素原子を少なくとも一つ有する。L 01 及びL 02 は、それぞれ独立に、単結合又は2価の連結基である。XはNH 4 等である。 [化1] 【選択図】なし
摘要（英）：
To provide: a composition for forming a hard mask, which emits little out gas during baking and has good etching resistance and solvent resistance; a method for producing an electronic component using the same; and a resin useful for the composition for forming a hard mask.SOLUTION: Provided is a composition for forming a hard mask used in lithography, comprising a resin (P1) having a repeating structure (u1) represented by the general formula (u1-0). In the formula, Ar01 and Ar02 are aromatic hydrocarbon groups which may have substituents, where Ar02 has at least one nitrogen atom or oxygen atom; L01 and L02 are each independently a single bond or a bivalent bonding group; and X is NH4 and the like.SELECTED DRAWING: None