基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：JP2020174479 申请日：2020-10-16
- 公开(公告)号：JP2021028978A 公开(公告)日：2021-02-25
- 发明人： 宮入 秀和 , 笹川 慎也
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2013269701 2013-12-26
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L21/28 ; H01L29/41 ; H01L27/1156 ; H01L21/8239 ; H01L27/105 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L29/786
摘要：
【課題】微細化に適した半導体装置を提供すること。 【解決手段】第1の素子と、当該第1の素子の上の第1の絶縁体と、当該第1の絶縁体の 上の第1のバリア膜と、当該第1のバリア膜の上の第1の導電体と、当該第1の導電体の 上の第2のバリア膜と、当該第2のバリア膜の上の第2の絶縁体と、当該第2の絶縁体の 上の半導体と、を有し、当該第1の導電体は、当該第1のバリア膜と当該第2のバリア膜 に囲われている半導体装置である。 【選択図】図1
摘要（英）：
To provide a semiconductor device suitable for miniaturization.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a first element; a first insulator on the first element; a first barrier film on the first insulator; a first conductor on the first barrier film; a second barrier film on the first conductor; a second insulator on the second barrier film; and a semiconductor on the second insulator. The first conductor is surrounded by the first barrier film and the second barrier film.SELECTED DRAWING: Figure 1
公开/授权文献:
- JP6967643B2 半導体装置 公开/授权日：2021-11-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |