基本信息:
- 专利标题： エッチング組成物、これを用いた絶縁膜エッチング方法及び半導体素子の製造方法、並びに新規化合物
- 申请号：JP2020093351 申请日：2020-05-28
- 公开(公告)号：JP2020198430A 公开(公告)日：2020-12-10
- 发明人： キム チョル ウ , ソン ミン キュン , シム ユ ナ , クヮク ジェ フン , キム ユン ボム , イ ジョン ホ , ジョ ジン キュン
- 申请人： エスケー イノベーション カンパニー リミテッド , SK INNOVATION CO.,LTD. , エスケー マテリアルズ カンパニー リミテッド
- 申请人地址： 大韓民国 03188 ソウル ジョンノク ジョン−ロ 26
- 专利权人： エスケー イノベーション カンパニー リミテッド,SK INNOVATION CO.,LTD.,エスケー マテリアルズ カンパニー リミテッド
- 当前专利权人： エスケー イノベーション カンパニー リミテッド,SK INNOVATION CO.,LTD.,エスケー マテリアルズ カンパニー リミテッド
- 当前专利权人地址： 大韓民国 03188 ソウル ジョンノク ジョン−ロ 26
- 代理人： 正林 真之; 林 一好
- 优先权： KR10-2019-0063737 2019-05-30
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
摘要：
【課題】酸化膜のエッチング率を最小限に抑えるとともに、窒化膜を選択的に除去することができ、素子特性に悪影響を及ぼすパーティクルの発生などの問題点を有しない高選択比のエッチング組成物を提供する。 【解決手段】下式の化合物を含むエッチング組成物。 Aはn価のラジカルであり、nは1〜6の整数であり、Lは直接結合又はヒドロカルビレンであり、YはNR 1 、O、PR 2 、及びSの中から選択され、ここで、R 1 及びR 2 は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル基又は非ヒドロカルビル基であり、X及びZは独立して、N、O、P、及びSの中から選択され、R a 〜R c は独立して、非共有電子対、水素、置換又は非置換されたヒドロカルビル基である。 【選択図】なし
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |