基本信息:
- 专利标题： カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
- 申请号：JP2020040927 申请日：2020-03-10
- 公开(公告)号：JP2020152720A 公开(公告)日：2020-09-24
- 发明人： 小室 勝洋 , 市川 幸司
- 申请人： 住友化学株式会社
- 申请人地址： 東京都中央区新川二丁目27番1号
- 专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都中央区新川二丁目27番1号
- 代理人： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
- 优先权： JP2019045994 2019-03-13
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/039 ; G03F7/20 ; C07D321/10 ; C07D317/72 ; C07D319/08 ; C07D319/06 ; C07D317/30 ; C07D339/08 ; C07D339/06 ; C07D407/12 ; C07C62/24 ; C08F8/12 ; C08F20/18 ; C08F212/14 ; C07D333/76
摘要：
【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができるカルボン酸塩及びこれを含むレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。 [式(I)中、R 1 は、炭素数1〜12のフッ素化アルキル基を表す。R 2 及びR 3 は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数1〜12のフッ素化アルキル基又は炭素数1〜12のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる−CH 2 −は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。m2は0〜4の整数を表す。m3は0〜4の整数を表す。X 0 は、置換基を有してもよい炭素数1〜72の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−CH 2 −は、−O−、−S−、−CO−又は−SO 2 −に置き換わっていてもよい。] 【選択図】なし