基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2019022885 申请日：2019-02-12
- 公开(公告)号：JP2020136287A 公开(公告)日：2020-08-31
- 发明人： 安田 佳史 , 浦上 泰 , 渡辺 行彦
- 申请人： トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
- 申请人地址： 愛知県豊田市トヨタ町1番地
- 专利权人： トヨタ自動車株式会社,株式会社デンソー
- 当前专利权人： トヨタ自動車株式会社,株式会社デンソー
- 当前专利权人地址： 愛知県豊田市トヨタ町1番地
- 代理人： 特許業務法人快友国際特許事務所
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L29/12 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/768
摘要：
【課題】 半導体装置の配線間の短絡を抑制することができる技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、SiC基板と、第1配線と、第2配線と、溝部と、酸化シリコン膜と、絶縁樹脂を有する。第1配線は、SiC基板の上部に配置されており、Alによって構成されている。第2配線は、SiC基板の上部に配置されており、Alによって構成されており、第1配線から分離されている。溝部は、第1配線と第2配線の間のSiC基板の上面に設けられている。酸化シリコン膜は、第1配線と第2配線の間のSiC基板の上面と、溝部の内面を覆っている。絶縁樹脂は、第1配線、酸化シリコン膜、及び、第2配線に跨る範囲を覆っている。絶縁樹脂の一部が、溝部内に配置されており、溝部内の酸化シリコン膜の表面を覆っている。第1配線と第2配線の間の間隔が100μm以下である。 【選択図】図2
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |