基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2020083079 申请日：2020-05-11
- 公开(公告)号：JP2020127047A 公开(公告)日：2020-08-20
- 发明人： 大貫 達也 , 加藤 清 , 上杉 航 , 石津 貴彦
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2014208996 2014-10-10 JP2014227326 2014-11-07 JP2015148775 2015-07-28
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L27/11551 ; H01L27/1156 ; H01L27/115 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L29/786 ; H01L21/363 ; G11C11/4097 ; H01L21/8242
摘要：
【課題】新規な半導体装置、または消費電力の低い半導体装置、または面積の縮小が可能 な半導体装置の提供。 【解決手段】第1のメモリセルと、第2のメモリセルと、を有するセルアレイと、第1の センスアンプと、第2のセンスアンプと、を有するセンスアンプ回路と、を有し、セルア レイは、センスアンプ回路上に設けられ、第1のセンスアンプは、第1の配線BLを介し て第1のメモリセルと電気的に接続され、第2のセンスアンプは、第2の配線BLを介し て第2のメモリセルと電気的に接続され、第1のセンスアンプ及び第2のセンスアンプは 、配線GBLと電気的に接続され、センスアンプ回路は、第1の配線BLの電位又は第2 の配線BLの電位の一方を選択して、配線GBLに出力する機能を有する。 【選択図】図3
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |