基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2018175441 申请日：2018-09-19
- 公开(公告)号：JP2020047791A 公开(公告)日：2020-03-26
- 发明人： 堀 陽一
- 申请人： 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 当前专利权人： 株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理人： 池上 徹真; 須藤 章; 高下 雅弘
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L29/06 ; H01L21/28 ; H01L29/41 ; H01L29/872
摘要：
【課題】逆方向リーク特性の優れた半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の面と第1の面に対向する第2の面を有する炭化珪素層と、炭化珪素層の中に設けられた第1導電型の第1の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域と第1の面との間に設けられた第2導電型の第2の炭化珪素領域と、第1の炭化珪素領域と第1の面との間に設けられ、第1の面に平行な第1の方向に延び、第2の炭化珪素領域に接続され、第1の面に対し平行で第1の方向に垂直な第2の方向の幅が、第2の炭化珪素領域の第2の方向の幅よりも狭い第2導電型の第3の炭化珪素領域と、炭化珪素層の第1の面の側に設けられ、第1の炭化珪素領域に接する第1の電極と、炭化珪素層の第2の面の側に設けられた第2の電極と、第1の電極と第2の炭化珪素領域との間に設けられ、第1の面と接する部分の形状が八角形である金属シリサイド層と、を備える。 【選択図】図2