基本信息:
- 专利标题： 化学機械研磨後の洗浄組成物
- 申请号：JP2018533238 申请日：2016-12-20
- 公开(公告)号：JP2019502802A 公开(公告)日：2019-01-31
- 发明人： デシュライン,クリスティアン , ジーベルト,マクス , ラウター,ミヒャエル , プルジビルスキ,ピョートル , プレルス,ユリアン , クリップ,アンドレアス , グェヴェンク,ハチ オスマン , ロイニッセン,レオナルドゥス , バオマン,レルフ−ペーター , ウェイ,トー ユイ
- 申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア , BASF SE
- 申请人地址： ドイツ連邦共和国 67056 ルートヴィヒスハーフェン・アム・ライン カール−ボッシュ−シュトラーセ 38
- 专利权人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア,BASF SE
- 当前专利权人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア,BASF SE
- 当前专利权人地址： ドイツ連邦共和国 67056 ルートヴィヒスハーフェン・アム・ライン カール−ボッシュ−シュトラーセ 38
- 代理人： 江藤 聡明
- 优先权： EP15201935.2 2015-12-22
- 国际申请： EP2016081856 JP 2016-12-20
- 国际公布： WO2017108748 JP 2017-06-29
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; C11D7/22
摘要：
(A) ポリアクリルアミド、ポリヒドロキシエチル(メタ)アクリレート(PHE(M)A)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ポリビニルアルコール(PVA)、式(I) 【化1】 (式中、R1が、水素、メチル、エチル、n−プロピル、イソ−プロピル、n−ブチル、イソ−ブチル、またはsec−ブチル、R2が、水素またはメチル、nが、整数である) のポリマー、およびこれらの混合物からなる群から選択される、1種または複数種の非イオン性ポリマー、 (B) 質量平均分子量(Mw)が10,000g/molまでのポリ(アクリル酸)(PAA)またはアクリル酸−マレイン酸コポリマー、ならびに (C) 水 を含むまたはそれらからなり、 pHが7.0から10.5の範囲内である 化学機械研磨後(CMP後)の洗浄組成物について記載されている。
公开/授权文献:
- JP6886469B2 化学機械研磨後の洗浄組成物 公开/授权日：2021-06-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |