基本信息:
- 专利标题： 研磨パッド
- 申请号：JP2018037682 申请日：2018-03-02
- 公开(公告)号：JP2019150916A 公开(公告)日：2019-09-12
- 发明人： 瀬下 清 , 土肥 俊郎 , 塚本 敬一 , 高木 正孝 , 柏田 太志
- 申请人： 富士紡ホールディングス株式会社 , 国立大学法人九州大学
- 申请人地址： 東京都中央区日本橋人形町1丁目18番12号
- 专利权人： 富士紡ホールディングス株式会社,国立大学法人九州大学
- 当前专利权人： 富士紡ホールディングス株式会社,国立大学法人九州大学
- 当前专利权人地址： 東京都中央区日本橋人形町1丁目18番12号
- 代理人： 稲葉 良幸; 大貫 敏史; 江口 昭彦; 内藤 和彦
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; C08J5/14 ; C08J9/232 ; B24B37/24
摘要：
【課題】優れた平坦性を被研磨物に付与するだけでなく、高い研磨レートをも実現する研磨パッドを提供する。 【解決手段】被研磨物を研磨するための研磨面を有する研磨層を備える研磨パッドであって、前記研磨層への錘の落槌試験によって測定される、前記研磨層の減衰反力と前記錘の相対速度との関係が下記式(1)で表され、下記式(1)における減衰反力指数αが2.0以上である、研磨パッド。 F=CVα (1) (式中、Fは前記研磨層の減衰反力(単位:N)、Cは比例定数(単位:N・s/cm)、Vは前記錘の前記研磨層に対する相対速度(単位:cm/s)を示す。) 【選択図】 図2
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |