基本信息:
- 专利标题： 真空スパッタ堆積のための装置及びその方法
- 专利标题（英）：JP2018525531A - Apparatus and method for vacuum sputter deposition
- 申请号：JP2018510086 申请日：2015-08-24
- 公开(公告)号：JP2018525531A 公开(公告)日：2018-09-06
- 发明人： セヴェリン, ダニエル , ゲベレ, トーマス , ライプニッツ, トーマス
- 申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95054 サンタ クララ バウアーズ アベニュー 3050
- 专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95054 サンタ クララ バウアーズ アベニュー 3050
- 代理人： 園田・小林特許業務法人
- 国际申请： EP2015069364 JP 2015-08-24
- 国际公布： WO2017032404 JP 2017-03-02
- 主分类号： C23C14/54
- IPC分类号： C23C14/54 ; C23C14/34
摘要：
真空スパッタ堆積のための装置(100)が開示される。装置は、真空チャンバ(110)と;材料を基板(200)にスパッタリングするための真空チャンバ(110)内の3以上のスパッタカソードと;H 2 を含む処理ガスを前記真空チャンバ(110)に供給するためのガス分配システム(130)と;真空チャンバ(110)内部に真空を提供するための真空システム(140)と;酸水素爆発のリスクを低減するための安全装置(160)とを備え、安全装置(160)が、処理ガス(111)のH 2 含有量の希釈のために真空システム(140)に連結された希釈ガス供給ユニット(165)を備える。 【選択図】図1
摘要（英）：
Apparatus for vacuum sputter deposition (100) is disclosed. Apparatus includes a vacuum chamber (110); supplying a processing gas containing of H2 said vacuum chamber (110); 3 or more sputtering cathode and the vacuum chamber (110) for sputtering a substrate (200) material gas distribution system for the (130); and a vacuum chamber (110) vacuum system for providing a vacuum to the interior (140); safety device (160) for reducing the risk of oxyhydrogen explosions and equipped with a safety device (160) comprises a dilution gas supply unit that is connected to a vacuum system (140) (165) for the dilution of the H2 content processing gas (111). .FIELD 1