基本信息:
- 专利标题： 薄い無機膜の生成方法
- 专利标题（英）：JP2018514942A - A method of generating a thin inorganic film
- 申请号：JP2017548115 申请日：2016-03-02
- 公开(公告)号：JP2018514942A 公开(公告)日：2018-06-07
- 发明人： シュピールマン,ヤン , アベルス,ファルコ , ブラスベルク,フロリアン , フェダーゼル,カタリナ , シルトクネヒト,クリスティアン , レッフラー,ダニエル , アダーマン,トルベン , フランク,ユルゲン , シールレ−アルント,ケルシュティン , ヴァイグニィ,ザビーネ
- 申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア , BASF SE
- 申请人地址： ドイツ連邦共和国 67056 ルートヴィヒスハーフェン・アム・ライン カール−ボッシュ−シュトラーセ 38
- 专利权人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア,BASF SE
- 当前专利权人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア,BASF SE
- 当前专利权人地址： ドイツ連邦共和国 67056 ルートヴィヒスハーフェン・アム・ライン カール−ボッシュ−シュトラーセ 38
- 代理人： 江藤 聡明
- 优先权： EP15158835.7 2015-03-12
- 国际申请： EP2016054371 JP 2016-03-02
- 国际公布： WO2016142226 JP 2016-09-15
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C07F3/00 ; C07F19/00 ; C08J7/06 ; C23C16/18 ; C23C16/455
摘要：
本発明は、基材上に薄い無機膜を生成するための方法の分野に属する。特に本発明は、一般式(I)の化合物を気体状態又はエアロゾル状態にすること、【化1】及び、気体状態又はエアロゾル状態から一般式(I)の化合物を固体基材上に堆積させることを含む方法に関する(式中、R1、R2、R3、R4は、互いに独立して、水素、アルキル基、アリール基、又はAをアルキル又はアリール基とするSiA3基であり、R1、R2、R3、R4の少なくとも2つはSiA3基であり、nは1〜4の整数であり、Mは金属又は半金属であり、XはMを配位する配位子であり、及びmは0〜4の整数である)。
摘要（英）：
The present invention is in the field of methods for producing thin inorganic film on the substrate. In particular, the present invention is to a compound of general formula (I) in the gaseous state or aerosol state,
[Formula 1]
And, (wherein said method comprising causing a compound of general formula (I) from the gaseous state or aerosol state is deposited on a solid substrate,
R 1, R 2, R 3 , R 4 are independently of each other, hydrogen, alkyl group, aryl group, or SiA
3 groups and alkyl or aryl group and
A, R 1, R 2, R 3, at least two R
4 is
3 group SiA,
n is an integer of 1 to 4,
M is a metal or metalloid,
X is a ligand coordinating to M, and m is an integer of 0 to 4).
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |