基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：JP2018129531A - Semiconductor device
- 申请号：JP2018075289 申请日：2018-04-10
- 公开(公告)号：JP2018129531A 公开(公告)日：2018-08-16
- 发明人： 山崎 舜平 , 小山 潤
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2009260368 2009-11-13
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/786
摘要：
【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする 。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、 ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が 酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の 酸化領域は、300MHz以上300GHz以下の高周波電力、および、酸素とアルゴン の混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6675432B2 半導体装置 公开/授权日：2020-04-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |