基本信息:
- 专利标题： 電子制御装置、不揮発性メモリの書換えプログラム、及び不揮発性メモリの書換え方法
- 专利标题（英）：JP2018128924A - Electronic control device, program for rewriting non-volatile memory, and method for rewriting non-volatile memory
- 申请号：JP2017022361 申请日：2017-02-09
- 公开(公告)号：JP2018128924A 公开(公告)日：2018-08-16
- 发明人： 栗下 拓也
- 申请人： 株式会社東海理化電機製作所
- 申请人地址： 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地
- 专利权人： 株式会社東海理化電機製作所
- 当前专利权人： 株式会社東海理化電機製作所
- 当前专利权人地址： 愛知県丹羽郡大口町豊田三丁目260番地
- 代理人： 中島 淳; 加藤 和詳; 福田 浩志
- 主分类号： G06F8/65
- IPC分类号： G06F8/65
摘要：
【課題】不揮発性メモリの消去上限回数以上の書換えを可能にすることを目的とする。 【解決手段】消去上限回数を有すると共に、ソフトウエア本体を格納する低頻度書換え領域16Cと、ソフトウエア本体を拡張する処理内容を予め定めた書込み単位毎に格納する高頻度書換え領域16Bとに分割された不揮発性メモリ16と、高頻度書換え領域16Bに格納された書換え対象の処理内容を書き換える際に、高頻度書換え領域16Bのブランク領域に書換え対象の処理内容を書込み単位毎に書込み、ブランク領域が不足する場合は、高頻度書換え領域16Bを消去してから全処理内容を書込み単位毎に書き込むように不揮発性メモリを制御するCPU12と、を備える。 【選択図】図1