基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：JP2018101788A - Semiconductor device
- 申请号：JP2018005793 申请日：2018-01-17
- 公开(公告)号：JP2018101788A 公开(公告)日：2018-06-28
- 发明人： 山崎 舜平 , 小山 潤 , 三宅 博之
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2009255315 2009-11-06
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; G02F1/1368 ; H01L51/50 ; H01L29/786
摘要：
【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用い 、同一基板上に画素部と、高速動作が可能な駆動回路部とを有する表示品質及び信頼性の 高い半導体装置を作製することを課題とする。 【解決手段】駆動回路部と画素部において、一方の面に結晶領域を有する酸化物半導体層 を活性層として用いた2種類の薄膜トランジスタをそれぞれ形成し、ゲート電極層の配置 によりチャネルが形成される領域を選択することにより、薄膜トランジスタの電気特性を 選択し、同一基板上に高速動作が可能な駆動回路部と、画素部を有した半導体装置を作製 する。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6444551B2 半導体装置 公开/授权日：2018-12-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |