基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：JP2018098519A - Semiconductor device
- 申请号：JP2018021838 申请日：2018-02-09
- 公开(公告)号：JP2018098519A 公开(公告)日：2018-06-21
- 发明人： 肥塚 純一 , 大野 普司 , 佐藤 優一 , 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2011129976 2011-06-10
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L27/146 ; H01L21/336
摘要：
【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答 及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程に おいて、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより 導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパン トとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領 域を挟んで形成する。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6461392B2 半導体装置 公开/授权日：2019-01-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |