基本信息:
- 专利标题： パワーモジュールおよび電力変換装置
- 专利标题（英）：JP2018060928A - Power module and power conversion apparatus
- 申请号：JP2016197865 申请日：2016-10-06
- 公开(公告)号：JP2018060928A 公开(公告)日：2018-04-12
- 发明人： 藤田 隆誠 , 渡辺 直樹 , 卜 渊
- 申请人： 株式会社日立製作所
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
- 专利权人： 株式会社日立製作所
- 当前专利权人： 株式会社日立製作所
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号
- 代理人： 特許業務法人筒井国際特許事務所
- 主分类号： H01L25/18
- IPC分类号： H01L25/18 ; H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L29/12 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L29/06 ; H02M7/48 ; H01L25/07
摘要：
【課題】SiC−IGBTとSiCダイオードとを有するパワーモジュールの絶縁破壊耐性を向上させる。 【解決手段】パワーモジュールは、SiC−IGBT110とSiCダイオード111とを有し、SiC−IGBT110の電界緩和領域320の上部を覆う樹脂層323の膜厚は、SiC−IGBT110のチップ厚よりも厚く、例えば200μm以上である。 【選択図】図3
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/18 | .包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件 |