基本信息:
- 专利标题： プラズマ処理中における磁場パターンの制御/調整方法
- 专利标题（英）：JP2018037662A - Method of controlling/adjusting magnetic field pattern in plasma treatment
- 申请号：JP2017174496 申请日：2017-09-12
- 公开(公告)号：JP2018037662A 公开(公告)日：2018-03-08
- 发明人： シン・ハーミート , ギャフ・キース , リチャードソン・ブレット , リー・サン
- 申请人： ラム リサーチ コーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
- 申请人地址： アメリカ合衆国,カリフォルニア 94538,フレモント,クッシング パークウェイ 4650
- 专利权人： ラム リサーチ コーポレーション,LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人： ラム リサーチ コーポレーション,LAM RESEARCH CORPORATION
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国,カリフォルニア 94538,フレモント,クッシング パークウェイ 4650
- 代理人： 特許業務法人明成国際特許事務所
- 优先权： US13/234,473 2011-09-16
- 主分类号： H05H1/46
- IPC分类号： H05H1/46 ; H01L21/683 ; H01L21/3065
摘要：
【課題】膜厚のばらつき、チャンバの不均一性、および/または、磁場によって引き起こされた不均一性を補償しうる基板支持体アセンブリの構成要素を提供する。 【解決手段】基板支持体アセンブリ100の構成要素(基板支持体またはエッジリングなど)が、基板支持体および/またはエッジリングに組み込まれた複数の電流ループを備える。電流ループは、横方向に離間され、基板支持体またはエッジリングの周囲の半分未満に伸びており、電流ループの各々は、基板のプラズマ処理中に基板支持体に支持された基板の上方に、20ガウス未満の磁場強度の局所DC磁場を誘導するよう動作可能である。DC電力を供給されると、電流ループは、プラズマに局所的に影響を与えて、基板にわたるプラズマ処理の不均一性を補償するために、半導体基板上に局所DC磁場を生成する。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6494713B2 プラズマ処理中における磁場パターンの制御/調整方法 公开/授权日：2019-04-03