基本信息:
- 专利标题： 記憶装置
- 专利标题（英）：JP2018006557A - Storage device
- 申请号：JP2016130946 申请日：2016-06-30
- 公开(公告)号：JP2018006557A 公开(公告)日：2018-01-11
- 发明人： 鎌田 善己 , 浅尾 吉昭 , 國島 巌 , 諸田 美砂子
- 申请人： 東芝メモリ株式会社
- 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 東芝メモリ株式会社
- 当前专利权人： 東芝メモリ株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理人： 池上 徹真; 須藤 章; 松山 允之
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L27/105
摘要：
【課題】隣接するメモリセルの間の相互干渉を抑制することが可能な記憶装置を提供する。 【解決手段】実施形態の記憶装置は、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層と交差する第3の導電層と、第1の導電層と第3の導電層との間に設けられ超格子構造を有する第1の領域と、第2の導電層と第3の導電層との間に設けられ超格子構造を有する第2の領域と、第1の領域と第2の領域との間に設けられ酸素(O)、フッ素(F)、炭素(C)、リン(P)、ボロン(B)、窒素(N)、水素(H)、ビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、セレン(Se)、アルミニウム(Al)、硫黄(S)、ベリリウム(Be)、インジウム(In)、及び、鉛(Pb)から成る群から選ばれる少なくとも一つの元素の濃度が第1の領域及び第2の領域よりも高い第3の領域と、を含む抵抗変化層と、を備える。 【選択図】図3