基本信息:
- 专利标题： レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤
- 专利标题（英）：JP2018004778A - Resist composition, method for forming resist pattern, compound, and acid generator
- 申请号：JP2016128162 申请日：2016-06-28
- 公开(公告)号：JP2018004778A 公开(公告)日：2018-01-11
- 发明人： 鈴木 一生 , 矢萩 真人 , 福村 友貴 , 海老澤 和明 , 小室 嘉崇 , 高山 寿一 , 神園 喬 , 藤井 達也
- 申请人： 東京応化工業株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 代理人： 棚井 澄雄; 志賀 正武; 松本 将尚; 宮本 龍; 飯田 雅人
- 主分类号： G03F7/039
- IPC分类号： G03F7/039 ; C07C309/12 ; C07C381/12 ; C07C211/63 ; C07D333/76 ; C07D327/02 ; G03F7/20 ; G03F7/004
摘要：
【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式(b1)で表される酸発生剤と、を含有することを特徴とする。式(b1)中、R b1 は、置換基として炭素数3以上のアルキル基を少なくとも1つ有する芳香族炭化水素基を表す。Y b1 は、エステル結合(−C(=O)−O−又は−O−C(=O)−)を含む2価の連結基を表す。V b1 は、アルキレン基、フッ素化アルキレン基又は単結合を表す。mは1以上の整数であって、M m+ はm価の有機カチオンを表す。 [化1] 【選択図】なし
公开/授权文献:
- JP6902832B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、化合物及び酸発生剤 公开/授权日：2021-07-14