基本信息:
- 专利标题： レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
- 专利标题（英）：JP2018004776A - Resist composition and method for forming resist pattern
- 申请号：JP2016128113 申请日：2016-06-28
- 公开(公告)号：JP2018004776A 公开(公告)日：2018-01-11
- 发明人： 矢萩 真人 , 鈴木 一生 , 福村 友貴 , 高山 寿一 , 神園 喬 , 藤井 達也
- 申请人： 東京応化工業株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人： 東京応化工業株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
- 代理人： 棚井 澄雄; 志賀 正武; 松本 将尚; 宮本 龍; 飯田 雅人
- 主分类号： G03F7/004
- IPC分类号： G03F7/004 ; G03F7/20 ; C08F20/26 ; G03F7/039
摘要：
【課題】高感度化及びリソグラフィー特性の向上が図れ、かつ、良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物を提供する。 【解決手段】一般式(a0−1)で表される構成単位を有する樹脂成分と、一般式(b1)で表される化合物と、を含有するレジスト組成物。式(a0−1)中、Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Va 1 は2価の炭化水素基である。n a01 は0〜2の整数である。Ya 0 は炭素原子である。Xa 0 は、Ya 0 と共に単環式の脂肪族炭化水素基を形成する基である。Ra 00 は、芳香族炭化水素基、又は特定の不飽和炭化水素基である。式(b1)中、R b1 は、環状の炭化水素基を表す。] 【選択図】なし
公开/授权文献:
- JP6782569B2 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 公开/授权日：2020-11-11