基本信息:
- 专利标题： 半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法
- 专利标题（英）：The method of manufacturing a semiconductor saturable absorber mirror
- 申请号：JP2016547605 申请日：2015-01-19
- 公开(公告)号：JP2017509912A 公开(公告)日：2017-04-06
- 发明人： オウダー、ジャン−ルイス , ブーショウル、ソフィー
- 申请人： セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス , セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス
- 申请人地址： フランス国、F−75794 パリ セデックス 16、リュ ミカエル アンゲ 3
- 专利权人： セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス,セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス
- 当前专利权人： セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス,セントレ ナショナル デ ラ ルシェルシェ サイエンティフィック−シーエヌアールエス
- 当前专利权人地址： フランス国、F−75794 パリ セデックス 16、リュ ミカエル アンゲ 3
- 代理人： 森下 賢樹
- 优先权： FR1450430 2014-01-20
- 国际申请： EP2015050872 JP 2015-01-19
- 国际公布： WO2015107186 JP 2015-07-23
- 主分类号： G02F1/355
- IPC分类号： G02F1/355 ; H01L21/20 ; H01L21/265 ; H01S5/022
摘要：
【解決手段】本発明は、半導体可飽和吸収材料ミラーの製造方法に関する。この方法は、成長基板(200)上に半導体可飽和吸収材料を堆積して構造体を形成するステップと;構造体上に少なくとも一つの金属層を堆積して第1のミラー(211)を形成するステップと;金属層上に電気絶縁性マスク(312)を通じて電着により熱導電性基板(212)を堆積し、半導体可飽和吸収材料ミラーの周囲を規定するための熱伝導性基板の選択的な堆積を可能にするステップと、を備える【選択図】図4F
摘要（英）：
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor saturable absorber material mirror. The method steps and which is deposited a semiconductor saturable absorber material on the growth substrate (200) to form a structure; forming a first mirror by depositing at least one metal layer over the structure (211) step a of; depositing a thermally conductive substrate (212) by electrodeposition through electrically insulating mask (312) on the metal layer, selective thermally conductive substrate to define the periphery of the semiconductor saturable absorber material mirror BACKGROUND oF 4F comprising the step of enabling the Do deposition, the
公开/授权文献:
- JP6560237B2 半導体可飽和吸収体ミラーの製造方法 公开/授权日：2019-08-14