基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：JP2017201649A - Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 申请号：JP2016092400 申请日：2016-05-02
- 公开(公告)号：JP2017201649A 公开(公告)日：2017-11-09
- 发明人： 宇佐美 達矢
- 申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 代理人： 特許業務法人筒井国際特許事務所
- 主分类号： H01L31/0232
- IPC分类号： H01L31/0232 ; G02B6/12 ; H01L31/10
摘要：
【課題】受光素子を含む半導体装置において、製造コストの低減と、受光素子の光学性能の向上とを両立する。 【解決手段】例えば、Geフォトダイオードの構造体を構成するp型ゲルマニウム層PGLと真性ゲルマニウム層IGLとn型ゲルマニウム層NGLとを連続した選択エピタキシャル成長法により形成する。SOI基板1Sのシリコン層SL上に開口部OPを有する絶縁膜IFを形成し、かつ、真性ゲルマニウム層IGLを開口部OPの内部から絶縁膜IFの上にまではみ出すように形成する。つまり、開口部OPを形成した絶縁膜IFを利用して、真性ゲルマニウム層IGLの断面形状をマッシュルーム形状とする。 【選択図】図4
公开/授权文献:
- JP6785057B2 半導体装置およびその製造方法 公开/授权日：2020-11-18