基本信息:
- 专利标题： 半導体装置及びその作製方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method for the same
- 申请号：JP2017019642 申请日：2017-02-06
- 公开(公告)号：JP2017147443A 公开(公告)日：2017-08-24
- 发明人： 山崎 舜平 , 遠藤 佑太 , 加藤 清 , 岡本 悟
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2016024794 2016-02-12
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/822 ; H01L27/04 ; H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/08 ; H01L21/82 ; H01L23/532 ; H01L21/768 ; H01L21/3205 ; H01L27/146 ; H01L21/8242
摘要：
【課題】微細化・高集積化に適した信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の絶縁体と、第1の絶縁体上のトランジスタと、トランジスタ上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体の開口部に埋め込まれた第1の導電体と、第1の導電体上のバリア層と、第2の絶縁体、およびバリア層上の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第2の導電体と、を有し、第1の絶縁体、第3の絶縁体、およびバリア層は、酸素、及び水素に対してバリア性を有し、第2の絶縁体は、過剰酸素領域を有し、トランジスタは、酸化物半導体を有し、バリア層と、第3の絶縁体と、第2の導電体と、は容量素子としての機能を有する。 【選択図】図1
公开/授权文献:
- JP6807767B2 半導体装置及びその作製方法 公开/授权日：2021-01-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |