基本信息:
- 专利标题： 電力増幅回路
- 专利标题（英）：Power amplifier circuit
- 申请号：JP2015235983 申请日：2015-12-02
- 公开(公告)号：JP2017103643A 公开(公告)日：2017-06-08
- 发明人： 嶋本 健一
- 申请人： 株式会社村田製作所
- 申请人地址： 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号
- 专利权人： 株式会社村田製作所
- 当前专利权人： 株式会社村田製作所
- 当前专利权人地址： 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号
- 代理人： 稲葉 良幸; 大貫 敏史; 江口 昭彦; 内藤 和彦; 佐藤 睦
- 主分类号： H03F1/02
- IPC分类号： H03F1/02 ; H03F3/68 ; H04B1/04 ; H03F3/24
摘要：
【課題】ゲイン特性の劣化を抑制しつつ、消費電流を低減する。 【解決手段】電力増幅回路は、第1の信号がベース又はゲートに入力され第1の信号を増幅した第2の信号をコレクタ又はドレインから出力する第1の増幅トランジスタと、第1の増幅トランジスタのベース又はゲートに第1のバイアス電流を供給する第1のバイアス回路と、を備え、第1のバイアス回路は、エミッタ又はソースから第1のバイアス電流を出力する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのエミッタ又はソースと接地との間の電気的接続を制御する第1の制御回路と、を備え、第1の制御回路は、直列に接続された第1の抵抗素子及び第1のスイッチ素子を備え、第1のスイッチ素子は、第1の電力モードの場合はオンとなり、第1の電力モードにおける出力電力より低い出力電力において動作する第2の電力モードの場合はオフとなる。 【選択図】図2
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/02 | .为提高效率对放大器的改进，例如滑动甲类放大级，采用辅助振荡 |