基本信息:
- 专利标题： 半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method of the same
- 申请号：JP2015190200 申请日：2015-09-28
- 公开(公告)号：JP2017069277A 公开(公告)日：2017-04-06
- 发明人： 齊藤 弘和
- 申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社
- 申请人地址： 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目4番地8
- 专利权人： ラピスセミコンダクタ株式会社
- 当前专利权人： ラピスセミコンダクタ株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県横浜市港北区新横浜二丁目4番地8
- 代理人： 中島 淳; 加藤 和詳; 福田 浩志
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12 ; H01L21/60 ; H01L21/304
摘要：
【課題】基板の周辺部の割れや欠けの損傷を防止し、かつ、突起電極の損傷を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置10は、半導体ウェーハ12の主面12Aの中央部14に素子形成領域20を備えている。素子形成領域20には突起電極44が配設されている。一方、半導体ウェーハ12の主面12Aの周辺部16にはダミー突起電極44Dが配設されている。ダミー突起電極44Dは、素子形成領域20と周辺部16との境界部分の三角形60に重複して配設されている。ダミー突起電極44Dは、半導体ウェーハ12の裏面のバックグラインド処理において、周辺部の割れ、欠け等の損傷を防止する。 【選択図】図3
公开/授权文献:
- JP6616143B2 半導体装置及びその製造方法 公开/授权日：2019-12-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |