基本信息:
- 专利标题： 半導体基板を研磨する方法
- 专利标题（英）：Method for polishing semiconductor substrate
- 申请号：JP2016021674 申请日：2016-02-08
- 公开(公告)号：JP2017063173A 公开(公告)日：2017-03-30
- 发明人： イ・グォ , デビッド・モズリー
- 申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
- 申请人地址： アメリカ合衆国 デラウェア州 19713、ニューアーク、ベルヴュー・ロード 451
- 专利权人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
- 当前专利权人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 デラウェア州 19713、ニューアーク、ベルヴュー・ロード 451
- 代理人： 特許業務法人 津国
- 优先权： US14/863,548 2015-09-24
- 主分类号： B24B37/00
- IPC分类号： B24B37/00 ; B24B37/24 ; C09K3/14 ; H01L21/304
摘要：
【課題】露出二酸化ケイ素フィーチャーを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングの改善法を提供する。 【解決手段】初期成分として、水、コロイダルシリカ砥粒及びジルコニル化合物を含有するケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること(ここで、このケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHは、≦6である)、研磨面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨面上のケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面近くに分注すること、及びケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との接触面に動的接触を作り出すこと(ここで、この基板が研磨される)を含む。 【選択図】なし
公开/授权文献:
- JP6685744B2 半導体基板を研磨する方法 公开/授权日：2020-04-22