基本信息:
- 专利标题： 複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
- 专利标题（英）：Chemical vapor deposition method using a chemical vapor deposition for the raw materials and the chemical vapor deposition for raw materials consisting of dinuclear ruthenium complex
- 专利标题（中）：使用化学气相沉积原料以及由双核钌络合物的化学沉积材料的化学气相沉积
- 申请号：JP2015165340 申请日：2015-08-25
- 公开(公告)号：JP2017043796A 公开(公告)日：2017-03-02
- 发明人： 原田 了輔 , 重冨 利幸 , 石坂 翼 , 青山 達貴
- 申请人： 田中貴金属工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 代理人： 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
- 主分类号： C07F15/00
- IPC分类号： C07F15/00 ; H01L21/28 ; H01L21/285 ; C23C16/16
摘要：
【課題】融点が低く、好ましくは常温で液体であるとともに、適度な熱安定性を有し、高純度のルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を形成可能な化学蒸着用原料の提供。 【解決手段】化学蒸着法によりルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜を製造するための化学蒸着用原料において、式(1)で示される、金属結合した2つのルテニウムに、カルボニルと、窒素を含有する有機配位子(L)と、が配位した複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料。 【選択図】図3
摘要（中）：
低熔点，与优选为液体在室温下，具有合适的热稳定性，提供了高纯度钌膜或钌化合物薄膜能够形成化学气相沉积原料。 的化学气相沉积的化学气相沉积原料用于生产钌薄膜或钌化合物薄膜中，由式（1）中，两个钌和金属结合来表示，含有羰基，氮有机分布 配体（L）和，但对于由双核钌络合物的配位化学汽相淀积材料。 点域
摘要（英）：
The present invention a low melting point, together with a preferably liquid at room temperature, has an appropriate thermal stability, provides high purity ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film capable of forming a chemical vapor deposition material.
The A chemical vapor deposition in a chemical vapor deposition material for the production of ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film, represented by the formula (1), the two ruthenium metal-bonded, organic distribution containing a carbonyl, nitrogen ligand (L) and, but the chemical vapor deposition material consisting of binuclear ruthenium complex coordinated.
.TECHNICAL
公开/授权文献:
- JP6027657B1 複核ルテニウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 公开/授权日：2016-11-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F15/00 | 含周期表第Ⅷ族元素的化合物 |