基本信息:
- 专利标题： 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
- 专利标题（英）：Chemical vapor deposition method using a chemical vapor deposition for the raw materials and the chemical vapor deposition for raw materials consisting of heterogeneous dinuclear complex
- 申请号：JP2015096981 申请日：2015-05-12
- 公开(公告)号：JP2016211049A 公开(公告)日：2016-12-15
- 发明人： 原田 了輔 , 重冨 利幸 , 鍋谷 俊一 , 鈴木 和治 , 熊倉 亜希子 , 青山 達貴 , 曽根 孝之
- 申请人： 田中貴金属工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 代理人： 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
- 主分类号： C07F19/00
- IPC分类号： C07F19/00 ; C07F15/00 ; C07F13/00 ; C07F15/02 ; C07F17/00 ; C07F15/06 ; C23C16/18 ; C23C16/06
摘要：
【課題】低温(200℃程度)で、一度の成膜で複合金属からなる薄膜形成が可能な化学蒸着原料を提供する。 【解決手段】中心金属である第1遷移金属及び第2の遷移金属に、シクロペンタジエニル及びカルボニルが配位した異種複核錯体からなる、下式で表される化学蒸着用原料を提供する。第1遷移金属(M 1 )と第2の遷移金属(M 2 )は相互に異なる。シクロペンタジエニル(L)は、1又は2であり、置換基R 1 〜R 5 として、各々独立にH又はC1〜5のアルキル基が配位する。 【選択図】図2
摘要（英）：
The present invention at a low temperature (about 200 ℃), to provide a chemical vapor deposition raw materials that can be thin-film formation comprising a composite metal in one of the film.
The A first transition metal is a central metal and a second transition metal, consisting of heterogeneous dinuclear complex cyclopentadienyl and carbonyl is coordinated to provide a chemical vapor deposition raw material represented by the following formula. The first transition metal
(M 1) and the second of the transition metal
(M 2) is different from each other. Cyclopentadienyl (L) is 1 or 2, as the substituents
R 1 to R
5 of 5, alkyl group of H or C1~5 is coordinated independently.
.FIELD 2
公开/授权文献:
- JP6043835B1 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 公开/授权日：2016-12-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F19/00 | 包含在C07F1/00至C07F17/00一个以上大组中的金属化合物 |