基本信息:
- 专利标题： シリコンパッシベーションの改善された半水性フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離及び洗浄用組成物
- 专利标题（英）：Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation
- 专利标题（中）：半导体光电子器件或半导体制造残渣剥离和清洁组合物与改进的硅钝化
- 申请号：JP2015248477 申请日：2015-12-21
- 公开(公告)号：JP2016148834A 公开(公告)日：2016-08-18
- 发明人： ラジフ クリスハン アガーウォル , マーク リチャード ブラウン , アイピン ウー , デイビッド バリー レニー , リ イ−チア , ジーン エバード パーリス
- 申请人： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア アレンタウン ハミルトン ブールヴァード 7201
- 专利权人： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド,AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED
- 当前专利权人： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド,AIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 ペンシルヴェニア アレンタウン ハミルトン ブールヴァード 7201
- 代理人： 青木 篤; 石田 敬; 古賀 哲次; 出野 知; 高橋 正俊; 小久保 菜里
- 优先权： US62/095,857 2014-12-23 US14/964,033 2015-12-09
- 主分类号： C11D7/32
- IPC分类号： C11D7/32 ; C11D7/26 ; C11D7/38 ; H01L21/304 ; G03F7/42
摘要：
【課題】フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離用及び洗浄用組成物、その組成物を製造する方法、及びその組成物を用いる方法を提供する。 【解決手段】水、1又は複数のアルカリ化合物、1又は複数の腐食阻害剤、及び1又は複数の抗酸化剤の1又は複数の酸化生成物を含む、フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離用及び洗浄用組成物、その組成物を製造する方法、及びその組成物を用いる方法が提供される。 【選択図】なし
摘要（中）：
要解决的问题：提供光致抗蚀剂或半导体制造残渣剥离和清洁组合物，制备组合物的方法以及使用该组合物的方法。溶液：提供包含水的光致抗蚀剂或半导体制造残渣剥离和清洁组合物 ，一种或多种碱性化合物，一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种一种或多种抗氧化剂的氧化产物。 还提供了制备组合物的方法和使用该组合物的方法。选择图：无
公开/授权文献:
- JP6430925B2 シリコンパッシベーションの改善された半水性フォトレジスト又は半導体製造残留物剥離及び洗浄用組成物 公开/授权日：2018-11-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C11 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛 |
| ----C11D | 洗涤剂组合物；用单一物质作为洗涤剂；皂或制皂；树脂皂；甘油的回收 |
| ------C11D7/00 | 主要以非表面活性化合物为基料的洗涤剂组合物 |
| --------C11D7/02 | .无机化合物 |
| ----------C11D7/32 | ..含氮的 |