基本信息:
- 专利标题： 逆導通IGBT
- 专利标题（英）：Reverse conducting igbt
- 专利标题（中）：反向导通IGBT
- 申请号：JP2014251967 申请日：2014-12-12
- 公开(公告)号：JP2016115763A 公开(公告)日：2016-06-23
- 发明人： 町田 悟 , 山下 侑佑 , 平林 康弘 , 細川 博司 , 安田 佳史 , 添野 明高 , 妹尾 賢
- 申请人： 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
- 申请人地址： 愛知県長久手市横道41番地の1
- 专利权人： 株式会社豊田中央研究所,トヨタ自動車株式会社
- 当前专利权人： 株式会社豊田中央研究所,トヨタ自動車株式会社
- 当前专利权人地址： 愛知県長久手市横道41番地の1
- 代理人： 特許業務法人快友国際特許事務所
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/739
摘要：
【課題】2段オン現象の発生が抑制される逆導通IGBTを提供する。 【解決手段】逆導通IGBT1の半導体層10は、n型のドリフト領域14、ドリフト領域14上に設けられているp型のボディ領域15、及び、ボディ領域15内に設けられているとともに半導体層10の表面10Bから伸びるピラー領域19を介してエミッタ電極24と電気的に接続されているn型のバリア領域18を備える。バリア領域18が、絶縁トレンチゲート部30の側面に接していない。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供抑制两级接通现象发生的反向导通IGBT。解决方案：反向导通IGBT1的半导体层10包括与发射极24电连接的n型势垒区18 经由n型漂移区域14，设置在漂移区域14上的p型体区域15以及设置在体区15中并从半导体层10的表面10B延伸的柱状区域19。 不与绝缘沟槽门30的侧面接触。选择图：图1
公开/授权文献:
- JP6053050B2 逆導通IGBT 公开/授权日：2016-12-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |