基本信息:
- 专利标题： パターン形成方法
- 专利标题（英）：Pattern formation method
- 专利标题（中）：模式形成方法
- 申请号：JP2014179359 申请日：2014-09-03
- 公开(公告)号：JP2016054214A 公开(公告)日：2016-04-14
- 发明人： 小林 克稔 , 笠原 佑介 , 米満 広樹 , 久保田 仁 , 川西 絢子
- 申请人： 株式会社東芝
- 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 株式会社東芝
- 当前专利权人： 株式会社東芝
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理人： 勝沼 宏仁; 関根 毅; 赤岡 明; 箱崎 幸雄
- 主分类号： G03F7/40
- IPC分类号： G03F7/40 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00 ; H01L21/027
摘要：
【課題】寸法ばらつきが抑制されたパターン形成方法を提供する。 【解決手段】一実施形態によれば、パターンは、第1の膜の上に第1のパターンを形成し、第1および第2のブロック鎖を有するブロックコポリマ層を前記第1のパターン上に形成し、第2のパターンを形成する工程と、該第2のパターン上に第2の膜を成膜し、前記第2のパターンが露出するまで前記第2の膜を選択的に除去し、第3のパターンを形成し、前記第3のパターンをマスクとして前記第1の膜を加工することにより形成される。前記第2のパターンは、前記ブロックコポリマ層をミクロ相分離させ、前記第1または第2のブロック鎖を除去することにより形成される。前記第2の膜は、前記第1および第2のパターンとの加工選択比が取れる材料を塗布することにより成膜される。前記第3のパターンは、前記第2の膜をマスクとして前記第2のパターンおよび前記第1のパターンを選択的に除去することにより形成される。 【選択図】図5
摘要（中）：
要解决的问题：提供抑制尺寸变化的图案形成方法。解决方案：通过以下步骤形成图案：在第一膜上形成第一图案; 在所述第一图案上形成具有第一和第二嵌段链的嵌段共聚物层; 形成第二种模式; 在第二图案上沉积第二膜; 选择性地移除第二膜直到第二图案曝光; 形成第三种模式; 以及通过使用第三图案作为掩模来处理第一胶片。 通过使嵌段共聚物层进行微相分离并除去第一嵌段链或第二嵌段链而形成第二图案。 通过施加能够获得第一和第二图案之间的加工选择比的材料来沉积第二薄膜。 通过使用第二膜作为掩模选择性地去除第二图案和第一图案来形成第三图案。选择图：图5