基本信息:
- 专利标题： In−Ga−Sn系酸化物焼結体、ターゲット、酸化物半導体膜、及び半導体素子
- 专利标题（英）：In-Ga-Sn-BASED OXIDE SINTERED BODY, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
- 专利标题（中）：基于Ga-Sn的氧化物烧结体，靶，氧化物半导体膜和半导体元件
- 申请号：JP2015202851 申请日：2015-10-14
- 公开(公告)号：JP2016026268A 公开(公告)日：2016-02-12
- 发明人： 糸瀬 将之 , 西村 麻美 , 笠見 雅司 , 矢野 公規
- 申请人： 出光興産株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内3丁目1番1号
- 专利权人： 出光興産株式会社
- 当前专利权人： 出光興産株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内3丁目1番1号
- 代理人： 渡辺 喜平; 田中 有子; 佐藤 猛; 平山 晃二
- 主分类号： C04B35/00
- IPC分类号： C04B35/00 ; H01L21/363 ; H01L29/786 ; C23C14/34
摘要：
【課題】半導体素子の作製の際のパターニング工程に適した酸化物半導体膜、及び半導体膜を成膜できる酸化物焼結体を提供する。 【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)及び錫元素(Sn)を、下記式(1)〜(3)の原子比で含む酸化物焼結体。 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60 (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55 (2) 0.0001
【選択図】なし
摘要（中）：
【選択図】なし
要解决的问题：提供一种适用于制造半导体元件时的图案化步骤的氧化物半导体膜，并提供能够沉积半导体膜的氧化物烧结体。解决方案：氧化物烧结体包含铟元素（In）， 下述式（1）〜（3）中记载的各原子比的镓元素（Ga）和锡元素（Sn）：0.10≤In/（In + Ga + Sn）≤0.60（1） 0.10≤Ga/（In + Ga + Sn）≤0.55（2）; 0.0001
公开/授权文献:
- JP6141381B2 スパッタリングターゲットの製造方法 公开/授权日：2017-06-07