基本信息:
- 专利标题： 近赤外線吸収構造体、および、その製造方法
- 专利标题（英）：Near-infrared absorbing structure and manufacturing method therefor
- 专利标题（中）：近红外吸收结构及其制造方法
- 申请号：JP2014142499 申请日：2014-07-10
- 公开(公告)号：JP2016018156A 公开(公告)日：2016-02-01
- 发明人： 山本 今日子 , 小森 敦 , 生駒 文 , 下田 博司 , 熊井 裕
- 申请人： 旭硝子株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号
- 专利权人： 旭硝子株式会社
- 当前专利权人： 旭硝子株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号
- 代理人： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
- 主分类号： C08L83/04
- IPC分类号： C08L83/04 ; C08K3/00 ; C08J7/04 ; G02B5/22
摘要：
【課題】可視光に対する透過率が高く、近赤外光を効果的に吸収することが可能であって、信頼性を向上可能な近赤外線吸収構造体等を提供する。 【解決手段】赤外吸収無機化合物と、下記(i)および(ii)の条件を満たすオルガノポリシロキサンとを含む近赤外線吸収構造体。 (i)T単位を95%以上含む。 (ii)赤外線吸収スペクトルにおいて、Si−OH結合による第1のピーク強度(K1)と、Si−O−Si結合による第2のピーク強度(K2)とが、0
【選択図】図1
摘要（中）：
【選択図】図1
要解决的问题：为了提供对可见光具有高透射率的近红外吸收结构，能够有效吸收近红外线，并且提供更高的可靠性。解决方案：近红外吸收结构包含红外吸收无机 化合物和满足下述条件（i）和（ii）的有机聚硅氧烷）。 （i）有机聚硅氧烷含有95％以上的T单元。 （ii）在红外吸收光谱中，对应于Si-OH键的第一峰强度（K1）和对应于Si-O-Si键的第二峰强度（K2）满足表示为：0
公开/授权文献:
- JP6488575B2 近赤外線吸収構造体 公开/授权日：2019-03-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08L | 高分子化合物的组合物 |
| ------C08L83/00 | 由只在主链中形成含硅的，有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物 |
| --------C08L83/04 | .聚硅氧烷 |