基本信息:
- 专利标题： 半導体装置、および製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device, and manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件和制造方法
- 申请号：JP2014256186 申请日：2014-12-18
- 公开(公告)号：JP2015216350A 公开(公告)日：2015-12-03
- 发明人： 脇山 悟 , 城 直樹 , 清水 完 , 中村 卓矢 , 林 利彦
- 申请人： ソニー株式会社
- 申请人地址： 東京都港区港南1丁目7番1号
- 专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人： ソニー株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区港南1丁目7番1号
- 代理人： 西川 孝; 稲本 義雄
- 优先权： JP2014088804 2014-04-23
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L21/60 ; H01L25/065
摘要：
【課題】 積層する半導体素子の電極どうしを接続するに際して、一方の半導体素子にSn系はんだのマイクロバンプを形成し、他方の半導体素子に形成するバリアメタルとしてウエハプロセスにて流動可能なnmオーダのメタルを採用する。 【解決手段】 本開示の半導体装置は、対向する半導体素子の一方である第2半導体素子の電極には、Sn系はんだからなるマイクロバンプが形成され、前記マイクロバンプを介して前記第2半導体素子の電極と接続されている、前記対向する半導体素子の他方である第1半導体素子の電極には、前記マイクロバンプに対向する凹形状のバンプパッドが形成されている。本開示は、半導体素子が積層されて構成される半導体装置に適用できる。 【選択図】 図3
摘要（中）：
要解决的问题：为了在一个半导体元件中形成Sn基焊料的微小凸块，当将要层压的半导体元件的电极互连并且使用可在晶片工艺中流动的纳米级金属作为阻挡金属 形成在另一个半导体元件中。解决方案：在半导体器件中，在作为彼此面对的半导体元件之一的第二半导体元件的电极上形成由Sn系焊料构成的微型凸块， 在第一半导体元件的电极中形成凸起，该第一半导体元件的电极是彼此相对的另一个半导体元件，通过微型凸块与第二半导体元件的电极连接。 本公开可应用于通过层压半导体元件构成的半导体器件。
公开/授权文献:
- JP6424610B2 半導体装置、および製造方法 公开/授权日：2018-11-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |