基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：JP2014264188 申请日：2014-12-26
- 公开(公告)号：JP2015188201A 公开(公告)日：2015-10-29
- 发明人： 青木 健 , 上妻 宗広 , 黒川 義元
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2013268613 2013-12-26 JP2014050958 2014-03-14
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/08 ; H01L29/786 ; H01L21/82 ; H03K19/177
摘要：
【課題】正常な動作を確保しつつ、低消費電力化を実現できる半導体装置の提供。 【解決手段】第1のトランジスタ、及び上記第1のトランジスタが有するゲートへの、第1の信号の供給を制御する第2のトランジスタをそれぞれ有する一対の第1の回路と、上記第2のトランジスタが有するゲートに供給され、なおかつ上記第1の信号よりも振幅が大きい第2の信号を、生成する第2の回路と、を有し、一対の上記第1の回路がそれぞれ有する上記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、互いに電気的に接続されており、一対の上記第1の回路において、上記第1のトランジスタが有するゲートにそれぞれ供給される上記第1の信号は、論理レベルの異なる電位を有する。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够在确保正常操作的同时实现更低功耗的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：一对第一电路，每个第一电路包括第一晶体管和控制第一信号的供给的第二晶体管 涉及包括在第一晶体管中的栅极;以及第二电路，其产生要提供给包括在第二晶体管中的栅极并且具有比第一信号更大的幅度的第二信号。 包括在该对第一电路中的第一晶体管之一的源极和漏极之一电连接到另一个第一晶体管的源极和漏极之一。 提供给该对第一电路中的第一晶体管的栅极的第一信号具有不同逻辑电平的电位。
公开/授权文献:
- JP6498932B2 半導体装置 公开/授权日：2019-04-10
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |