基本信息:
- 专利标题： 半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method of the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：JP2014039968 申请日：2014-02-28
- 公开(公告)号：JP2015165527A 公开(公告)日：2015-09-17
- 发明人： 佐々木 遥 , 山本 敦史 , 久里 裕二 , 松村 仁嗣
- 申请人： 株式会社東芝
- 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人： 株式会社東芝
- 当前专利权人： 株式会社東芝
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理人： 原 拓実; 野木 新治; 高橋 拓也; 黒田 久美子; 大西 邦幸; 石川 隆史
- 主分类号： C22C9/04
- IPC分类号： C22C9/04 ; C22C18/02 ; H01L21/52
摘要：
【課題】耐熱性と機械的強度を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。 【解決手段】半導体素子と、銅を含む配線層を有する実装基板と、前記半導体素子と前記配線層との間に設けられた銅と銅以外の金属との合金を含み、前記合金の融点が、前記金属の融点よりも高い接合層と、を備えている。 【選択図】図2
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够提高耐热性和机械强度的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件包括：半导体元件; 具有包含铜的布线层的安装基板; 设置在所述半导体元件和所述布线层之间的包含铜和铜以外的金属的合金的接合层; 以及合金的熔点高于金属的熔点的接合层。