基本信息:
- 专利标题： 単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びこれを用いた光加工器
- 专利标题（英）：Single crystal, method of manufacturing the single crystal, optical isolator, and optical processor using the optical isolator
- 专利标题（中）：单晶，使用光学隔离器制造单晶，光学隔离器和光学处理器的方法
- 申请号：JP2014181798 申请日：2014-09-06
- 公开(公告)号：JP2015057365A 公开(公告)日：2015-03-26
- 发明人： SANADA KAZUO , SHIMAMURA KIYOSHI , GARCIA VILLORA ENCARNACION ANTONIA
- 申请人： 株式会社フジクラ , Fujikura Ltd , 独立行政法人物質・材料研究機構 , National Institute For Materials Science
- 专利权人： 株式会社フジクラ,Fujikura Ltd,独立行政法人物質・材料研究機構,National Institute For Materials Science
- 当前专利权人： 株式会社フジクラ,Fujikura Ltd,独立行政法人物質・材料研究機構,National Institute For Materials Science
- 优先权： JP2009242433 2009-10-21
- 主分类号： C30B29/28
- IPC分类号： C30B29/28 ; B23K26/064 ; G02B27/28 ; G02F1/09
摘要：
【課題】波長1064nm以上の波長域もしくは1064nm未満の波長域において、テルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)単結晶を越えるファラデー回転角を備え、大型化を実現できる光アイソレータ用単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びこれを用いた光加工器の提供。【解決手段】式TbpScqLurAlsO12(上記式中、p、q、r及びsは下記式を満たす。2.95≦̸p≦̸2.971.94≦̸q≦̸1.970.05≦̸r≦̸0.212.95≦̸s≦̸2.98)で表される単結晶。前記単結晶は、融液成長法によって製造される。光加工器100は、レーザ光源11と、レーザ光源11から出射されるレーザ光Lの光路P上に配置され、前記単結晶を有する光アイソレータ10とを備え、レーザ光源11から出射されたレーザ光Lが光アイソレータ10を通って出射され、その出射光により被加工体Qを加工することができる。【選択図】図3
摘要（中）：
要解决的问题：为了提供具有比铽镓石榴石（TGG）单晶更大的法拉第旋转角的较大的单晶，在1,064nm或更长的波长范围内或在小于1064nm的波长范围内，至 提供制造单晶的方法，提供光隔离器，并提供使用隔离器的光学处理器。解决方案：提供由式TbScLuAlO表示的单晶（其中p，q，r和s满足2.95≤p ≤2.971,94≤q≤1.97,0.05≤r≤0.21，2.95≤s≤2.98）。 单晶通过熔体生长法制造。 光学处理器100包括：激光源11; 并且配置在从激光光源11发射的激光L的光路P上并具有单晶的光隔离器10，从激光光源11发射的激光L通过光隔离器10发射 以便用该发射光来处理工件Q。