基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：JP2014179135 申请日：2014-09-03
- 公开(公告)号：JP2015019096A 公开(公告)日：2015-01-29
- 发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , IMAI KEITARO , KOYAMA JUN
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所,Semiconductor Energy Lab Co Ltd
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所,Semiconductor Energy Lab Co Ltd
- 优先权： JP2009249328 2009-10-29
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L21/8236 ; H01L21/8242 ; H01L21/8247 ; H01L27/088 ; H01L27/105 ; H01L27/108 ; H01L27/115 ; H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H03K3/356 ; H03K19/0944
摘要：
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成された論理回路と、を有し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記論理回路の少なくとも一の入力とは電気的に接続され、前記トランジスタを介して、前記論理回路に少なくとも一の入力信号が供給される半導体装置である。ここで、トランジスタのオフ電流は1?10−13A以下であるのが望ましい。【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种新颖结构的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：具有氧化物半导体层的晶体管和由氧化物半导体以外的半导体材料构成的逻辑电路。 在半导体器件中，晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接到逻辑电路的至少一个输入端，并且至少一个输入信号通过晶体管施加到逻辑电路。 晶体管的截止电流优选为1×10 10以下。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |