基本信息:
- 专利标题: 誘導結合プラズマチャンバのツイストロック式ガス注入器用の窓及び装着構造
- 专利标题(英):Window and the mounting structure of the twist-lock type gas injection dexterity of an inductively coupled plasma chamber
- 专利标题(中):窗口和电感耦合等离子体室的扭锁式气体喷射灵巧的安装结构
- 申请号:JP2014538847 申请日:2012-10-19
- 公开(公告)号:JP2014532990A 公开(公告)日:2014-12-08
- 发明人: シャトレ・リッシュ , シェーファー・デイビッド
- 申请人: ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation , ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation
- 专利权人: ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation,ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation
- 当前专利权人: ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation,ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation
- 优先权: US201113280750 2011-10-25
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H05H1/46
An improved gas injection assembly for mounting in the central hole of the dielectric window of the inductively coupled plasma chamber has a center hole and a cylindrical recess adapted to receive an annular insert with a bayonet opening equipped with a window. Gas injector assembly includes a gas injector, and the RF shield surrounding the gas injector, and the face plate surrounding the RF shield, the. Face plate, a projection to be engaged with the bayonet opening of the annular insert comprises at its bottom. Windows and gas injection assembly is generally formed of quartz, so as not to lack the windows comprise a bayonet opening formed by machining in the preparation of the mounting is designed. Vulnerability of quartz material, machined bayonet opening is likely to lack the time to insert a gas injector assembly to bayonet opening.
.FIELD 1
公开/授权文献:
- JP6215217B2 誘導結合プラズマチャンバのツイストロック式ガス注入器用の窓及び装着構造 公开/授权日:2017-10-18
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/306 | ......化学或电处理,例如电解腐蚀 |
--------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀;活性离子腐蚀 |