基本信息:
- 专利标题： 非常に薄いデバイスウェハを扱う方法
- 专利标题（英）：How to handle a very thin device wafer
- 专利标题（中）：如何处理非常薄器件晶圆
- 申请号：JP2014533278 申请日：2011-09-30
- 公开(公告)号：JP2014528644A 公开(公告)日：2014-10-27
- 发明人： ジェイ． リー、ケビン , ジェイ． リー、ケビン
- 申请人： インテル・コーポレーション
- 专利权人： インテル・コーポレーション
- 当前专利权人： インテル・コーポレーション
- 优先权： US2011054428 2011-09-30
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
シリコン貫通電極(TSV)処理の間にデバイスウェハを扱うための構造および方法について記載する。デバイスウェハは、恒久的な熱硬化性材料を使用して、仮支持基板に接合される。仮支持基板が取り除かれると、リフローされた半田バンプおよび恒久的な熱硬化性材料を含む平坦な前側接合面が露出される。【選択図】図1
摘要（中）：
它描述了一种用于通孔（TSV）方法所述穿硅期间处理的器件晶片的结构和方法。 器件晶片使用永久热固性材料，被接合到临时支撑衬底。 当临时支撑衬底被除去，平坦的前配合表面包括一个回流的焊料凸块和永久热固性材料是暴露的。 点域1
摘要（英）：
It describes the structure and methods for dealing with the device wafer between the through-silicon electrode (TSV) process. Device wafer uses a permanent thermoset material, is bonded to the temporary supporting substrate. When the temporary supporting substrate is removed, the flat front side bonding surface, including the reflowed solder bumps and permanent thermosetting material is exposed.
.FIELD 1
公开/授权文献:
- JP5970071B2 デバイス構造の製造方法および構造 公开/授权日：2016-08-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |